《人工晶體學報》(月刊)創刊于1972年,由中材人工晶體研究院主辦。
《人工晶體學報》(本刊刊登材料科學與工程技術方面,涵蓋晶體材料:半導體材料、光電子材料、壓電晶體材料、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術陶瓷,具有創新性、高水平、有重要意義的原始性研究學術論文以及反映學科最新發展狀況的文獻綜述等中英文稿件。獲獎情況:1997年獲國家科技優秀期刊;獲部級優秀科技期刊獎;中國期刊方陣“雙效”期刊;1987年獲優秀編輯二等獎。
雜志簡介:《人工晶體學報》雜志經新聞出版總署批準,自1972年創刊,國內刊號為11-2637/O7,是一本綜合性較強的化學期刊。該刊是一份月刊,致力于發表化學領域的高質量原創研究成果、綜述及快報。主要欄目:研究快報、研究論文、綜合評述、封面圖片
《人工晶體學報》(月刊)創刊于1972年,由中材人工晶體研究院主辦。
《人工晶體學報》(本刊刊登材料科學與工程技術方面,涵蓋晶體材料:半導體材料、光電子材料、壓電晶體材料、納米材料、薄膜材料、超硬材料和高技術陶瓷,具有創新性、高水平、有重要意義的原始性研究學術論文以及反映學科最新發展狀況的文獻綜述等中英文稿件。獲獎情況:1997年獲國家科技優秀期刊;獲部級優秀科技期刊獎;中國期刊方陣“雙效”期刊;1987年獲優秀編輯二等獎。
《人工晶體學報》雜志學者發表主要的研究主題主要有以下內容:
(一)激光晶體;晶體;晶體生長;籽晶;提拉法
(二)晶體;晶體生長;非線性光學晶體;激光晶體;激光器
(三)單晶生長;單晶體;晶體生長;晶體;多晶合成
(四)單晶生長;晶體;單晶體;晶體生長;多晶合成
(五)晶體生長;晶體;水熱法;生長基元;結晶習性
(六)SIC單晶;單晶;單晶生長;籽晶;碳化硅
(七)SIC單晶;碳化硅;籽晶;單晶生長;單晶
(八)太陽電池;薄膜太陽電池;鈣鈦礦;微晶硅;硅基薄膜太陽電池
(九)晶體;單晶生長;紅外透過率;單晶體;多晶合成
(十)晶體;晶體生長;雙光子吸收;晶體結構;單晶生長
1、參考文獻:特別注意引用近期在國內外高水平期刊雜志中發表的前沿研究論文,不遺漏重要的相關文獻。
2、中英文摘要。應包括研究目的、方法、結果和結論等,以300字左右為宜,并標注3~8個規范化的關鍵詞。
3、投稿時請附一簡短的第一作者簡介,內容包括:作者姓名、性別、出生年月、學位(碩士以上者)、職稱、職務、研究方向、聯系電話(至少給出辦公電話)和E-mail地址及第一作者和通訊作者的ORCID等。
4、論文如屬基金項目成果,請在首頁地腳標注項目名稱和編號等信息。
5、正文標題序號一般按照從大到小四級標題寫作,即:“一、”“(一)”“1.”“(1)”。
立即指數:立即指數 (Immediacy Index)是指用某一年中發表的文章在當年被引用次數除以同年發表文章的總數得到的指數;該指數用來評價哪些科技期刊發表了大量熱點文章,進而能夠衡量該期刊中發表的研究成果是否緊跟研究前沿的步伐。
引證文獻:又稱來源文獻,是指引用了某篇文章的文獻,是對本文研究工作的繼續、應用、發展或評價。這種引用關系表明了研究的去向,經過驗證,引證文獻數等于該文獻的被引次數。引證文獻是學術論著撰寫中不可或缺的組成部分,也是衡量學術著述影響大小的重要因素。
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